IT之家 10 月 17 日讯息，据科技媒体 TweakTown 今天报谈，三星下一代 1c DRAM 在 HBM4 上的良率已达到 50%，同期该公司还在践诺 High-NA EUV 光刻机产能，加快量产 HBM4、HBM4E。

　　据讯息东谈主士 Jukanlosreve 昨天在 X 平台的发文，三星已加快押注 DRAM 规模，从 ASML（IT之家注：阿斯麦）购入 5 台全新 High-NA EUV 光刻机，其中 2 台将部署在三星半导体代工行状部，其余开荒则专供存储行状部。

　　TweakTown 对此合计，三星的这番举动示意着将设立专属内存出产线，使得 HBM4 量产速率更快，同期提前部署 HBM4E 和下一代 HBM5。

　　一位半导体业界东谈主士涌现：“以前三星的代工和存储业务在韩国平泽园区共用 EUV 工艺，但跟着最新变化，新增的五台光刻机将专供存储业务”。

　　当作参考，三星平泽园区的 DRAM 部门每月或者出产 30 万片晶圆，其产线果真还是满载，不外把柄另又名业内东谈主士显现，要是北好意思的主要客户追加订单，那剩下三台光刻机有可能被送石友意思国德州泰勒晶圆厂。

　　对比之下，三星的竞争敌手 SK 海力士仍处于向上地位开yun体育网，为英伟达 Blackwell 系列 GPU 供应 HBM3 / HBM3E 芯片，三星此例如必将扩大 DRAM 产能，让两家公司之间的竞争进一步升级。